• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Applied Surface Science >Metal-metal and metal-oxide interaction effects on thin film oxide formation: the Ti/TiO2 and TiO2/Ti cases
【24h】

Metal-metal and metal-oxide interaction effects on thin film oxide formation: the Ti/TiO2 and TiO2/Ti cases

机译：金属-金属和金属-氧化物相互作用对薄膜氧化物形成的影响：Ti / TiO2和TiO2 / Ti情况

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Through Auger electron spectroscopy (AES) and factor analysis (FA), we have studied the effect of metal-metal and metal-oxide interface interactions on the Ti oxide film formation. The passivation of Ti thin film oxidation is a thermally dependent process. It is possible, in consequence, to induce a further oxidation by heating the system. However, the complete oxidation of the thin film cannot be achieved in any case (for films thicker than 2 monolayers (ML)), due to substrate-Ti interactions. On the other hand, for the inverse configuration, metal over oxide, the strong Ti reactivity broadens the interface promoting the appearance of Ti2O3. (C) 2003 Elsevier Science B.V. All rights reserved. [References: 22]
机译：通过俄歇电子能谱（AES）和因子分析（FA），我们研究了金属-金属和金属-氧化物界面相互作用对Ti氧化膜形成的影响。 Ti薄膜氧化的钝化是一个与热有关的过程。结果，有可能通过加热系统而引起进一步的氧化。但是，由于基材与Ti的相互作用，在任何情况下（对于厚度大于2个单层（ML）的薄膜）都无法实现薄膜的完全氧化。另一方面，对于相反的构型，金属覆盖氧化物，强的Ti反应性会加宽界面，从而促进Ti2O3的出现。 （C）2003 Elsevier Science B.V.保留所有权利。 [参考：22]

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号