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【24h】

Model for defect generation at the (1 0 0)Si/SiO_2 interface during electron injection in MOS structures

机译：MOS结构中电子注入过程中（1 0 0）Si / SiO_2界面处缺陷产生的模型

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The generation of interface defects during the injection of electrons in metal-oxide-semiconductor (MOS) structures with thin SiO_2 gate layers and SiO_2/ZrO_2 gate stacks is investigated. A model is proposed to explain the kinetics of interface defect generation, based on the depassivation of trivalent silicon dangling bonds (Si_3≡SiH → Si_3≡Si~·) at the (1 0 0)Si/SiO_2 interface by the injected electrons. A gaussian spread for the activation energy E_d related to the dissociation of the Si―H bond is included in this model. Comparison with experimental results reveals that the mean value of the activation energy E_(di) decreases linearly with the electric field E_(ox) across the SiO_2 layer. This behaviour is attributed to the alignment of the Si―H dipole moment with respect to E_(ox), which favours the dissociation of the Si―H bond.
机译：研究了在具有薄的SiO_2栅极层和SiO_2 / ZrO_2栅极堆叠的金属氧化物半导体（MOS）结构中电子注入过程中界面缺陷的产生。基于注入的电子在（1 0 0）Si / SiO_2界面对三价硅悬空键（Si_3≡SiH→Si_3≡Si〜·）的钝化作用，提出了一种模型来解释界面缺陷产生的动力学。该模型包括与Si-H键解离有关的活化能E_d的高斯分布。与实验结果的比较表明，活化能E_（di）的平均值随SiO_2层上的电场E_（ox）线性降低。此行为归因于Si-H偶极矩相对于E_（ox）的排列，这有利于Si-H键的解离。

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