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首页> 外文期刊>Applied Surface Science >Chalcogen passivation of GaAs(1 0 0) surfaces: theoretical study
【24h】

Chalcogen passivation of GaAs(1 0 0) surfaces: theoretical study

机译：GaAs（1 0 0）表面的硫族元素钝化：理论研究

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In this work, structural and electronic properties of Se- and S-passivated GaAs(1 0 0) surface reconstructions are investigated by density functional theory (DFT) based methods. We have performed total energy minimization of several model geometries of the reconstructed surfaces at different stoichiometry. The common feature is the appearance of a chalcogen layer on top of the Ga terminated surface, forming a Ga-chalcogenid like monolayer. In the case of selenium (Se), monomeric first layer formation is predicted, while in extrem chemically circumstances the sulphur (S) passivated surface can also reconstruct forming S-dimers.
机译：在这项工作中，通过基于密度泛函理论（DFT）的方法研究了Se和S钝化的GaAs（1 0 0）表面重建的结构和电子性能。我们对不同化学计量的重构表面的几种模型几何进行了总能量最小化。共同的特征是在终止于Ga的表面顶部上出现硫属元素层，形成类似Ga硫属元素化物的单层。在硒（Se）的情况下，可以预测形成单体第一层，而在化学极端条件下，硫（S）钝化的表面也可以重建形成的S-二聚体。

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