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New technique to characterise thin oxide films under electronic irradiation

机译：在电子辐照下表征氧化薄膜的新技术

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To characterise insulating materials, measurements of their ability to trap or release injected charges have been developed recently by induced charge measurement (ICM). This new technique allows to investigate the charging properties of bulk or thin oxide films deposited on non-conductive substrates during the electronic irradiation carried out in a scanning electron microscope (SEM). In this work, ICM is used to investigate in MgO single crystal and thin MgO layers deposited on glass or enamel, the effects of substrate, injected charge density and primary electron energy on the kinetics and the nature of the net trapped charge.
机译：为了表征绝缘材料，最近已经通过感应电荷测量（ICM）来测量其捕获或释放注入电荷的能力。这项新技术可以研究在扫描电子显微镜（SEM）中进行电子辐照过程中沉积在非导电基板上的块状或薄氧化膜的带电性能。在这项工作中，ICM用于研究沉积在玻璃或搪瓷上的MgO单晶和薄MgO层，衬底，注入的电荷密度和一次电子能量对动力学和净捕获电荷性质的影响。

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