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True bulk As-antisite defect in GaAs(110) identified by DFT calculations and probed by STM/STS measurements

机译：通过DFT计算确定并通过STM / STS测量探测到的GaAs（110）中真正的大量As反位缺陷

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We reveal the As-antisite (As-Ga) defect close to the surface of GaAs(1 1 0) with bulk characteristics using firstprinciples methods with experimental verifications. We found that the As-Ga in the third-layer mimics the geometry, partial charge density and more importantly, the density of states of As-Ga in bulk GaAs. Notably, the midgap state induced by As-Ga in bulk GaAs is well-reproduced by the As-Ga in the third layer of GaAs(1 1 0). Simulated and experimental STM images show an "asymmetric two-lobe" feature in the region around the defect. Using local density of states (LDOS) and STS spectra, we propose three prominent peaks with characteristic energy levels corresponding to the third layer As-Ga. The above results present the first report of surface electronic signatures of true bulk defect near the surface of GaAs(1 1 0).
机译：我们使用实验原理通过第一原理方法揭示了具有整体特征的GaAs（1 1 0）表面附近的As-反位（As-Ga）缺陷。我们发现，第三层中的砷化镓模拟了整体GaAs中的几何形状，部分电荷密度，更重要的是模拟了砷化镓的状态密度。值得注意的是，块状GaAs中由As-Ga引起的中间能隙状态在第三层GaAs（11 0）中被As-Ga很好地再现。仿真和实验STM图像在缺陷周围的区域中显示出“非对称两瓣”特征。利用局部态密度（LDOS）和STS光谱，我们提出了三个突出的峰，其特征能级与第三层As-Ga相对应。以上结果是在GaAs（1 1 0）表面附近的真实体缺陷的表面电子签名的第一个报告。

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