机译:缩回通知“通过施加电场”[Appl,提高Ti掺杂MOSE_2和MOS_2单层的吸附性能和感测性能和感测性能。冲浪。 SCI。 512(2020)145758]
Henan Agr Univ Sch Forestry Zhengzhou 450002 Peoples R China;
Henan Agr Univ Sch Forestry Zhengzhou 450002 Peoples R China|China Univ Geosci Sch Environm Studies Wuhan 430074 Peoples R China;
Ton Duc Thang Univ Dept Management Sci & Technol Dev Ho Chi Minh City Vietnam|Ton Duc Thang Univ Fac Social Sci & Humanities Ho Chi Minh City Vietnam;
Hezhou Univ Sch Informat & Commun Engn Hezhou 542899 Peoples R China;
Henan Agr Univ Sch Forestry Zhengzhou 450002 Peoples R China;
机译:通过施加电场增强Ti掺杂的MoSe_2和MoS_2单层的吸附性能和传感能力
机译:收缩通知“Ni / Cu嵌入式S-空位缺陷的MOS_2单层的结构,电子和磁性性能的”结构,电子和磁性,它们对SO_X和O_3分子的吸附的影响“冲浪。 SCI。 517(2020)146179]
机译:撤回通知“基于过渡金属(Cu,Co)嵌入式Se-空位缺陷WSE_2单层的气体传感和吸附理论研究”冲浪。 SCI。 525(2020)146549]