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Voir à l'intérieur des FET

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摘要

Les interrupteurs efficients en carbure de silicium utilisés dans l'électronique de puissance, les MOSFET, tirent leur fonctionnalité de l'interface entre le SiC et une fine couche d'oxyde de silicium. Or, lors de leur production, des défauts peuvent se former à cette interface et réduire le courant dans le composant. L'analyse de ces défauts est donc importante pour exploiter le potentiel du matériau.
机译:在功率电子器件中使用的高效碳化硅开关MOSFET,其功能是从SiC与氧化硅薄层之间的界面获得的。但是,在生产过程中,故障可能会在此接口处形成并降低组件中的电流。因此,对这些缺陷的分析对于开发材料的潜力很重要。

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    《Bulletin SEV/VSE》 |2019年第4期|7-7|共1页
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