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Dotierte Graphenbänder mit Potenzial

机译:潜在掺杂石墨烯带

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摘要

Als ultraschmales Band hat Graphen Halbleitereigenschaften - obwohl das Material eigentlich leitend ist. Forschende der Empa und des Max Planck Institutes für Polymerforschung haben nun Graphenmoleküle mit Stickstoffatomen dotiert. Indem sie dotierte und nicht-dotierte Graphenstücke nahtlos aneinanderreihten, konnten sie in den Nanobändern «HeteroÜbergänge» etablieren, die Voraussetzung, dass Strom beim Anlegen einer Spannung nur in eine Richtung fliesst - der erste Schritt zu einem Graphen-Transistor. Zudem ist es dem Team gelungen, die Graphenbänder von ihrer Goldunterlage, auf der sie gewachsen sind, zu lösen und auf ein nichtleitendes Material zu übertragen. Dies ist wichtig, denn solange die Graphenbänder auf einem Metallsubstrat wie Gold liegen, sind sie als elektronische Schalter nicht zu gebrauchen, da das leitende Gold die interessanten halbleitenden Eigenschaften des Graphenbands «sabotiert». Mit einem relativ einfachen Ätz- und Reinigungsprozess kann das Graphen effizient und intakt auf ein (fast) beliebiges Substrat übertragen werden, etwa auf Saphir, Kalziumfluorid oder Siliziumoxid.
机译:作为超窄带,石墨烯具有半导体特性-即使该材料实际上是导电的。 Empa和马克斯·普朗克聚合物研究所的研究人员现在已经用氮原子掺杂了石墨烯分子。通过将掺杂和未掺杂的石墨烯无缝地串在一起,它们能够在纳米带中建立“异质结”,前提是当施加电压时电流仅在一个方向上流动-迈向石墨烯晶体管的第一步。该团队还成功地将石墨烯带从其生长所在的金基底上分离下来,并将其转移到非导电材料上。这很重要,因为只要石墨烯带位于金属基板(如金)上,它们就不能用作电子开关,因为导电金会“破坏”石墨烯带的有趣的半导体性能。通过相对简单的蚀刻和清洁工艺,可以将石墨烯有效地转移并完整地转移到(几乎)任何衬底上,例如蓝宝石,氟化钙或氧化硅。

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    《Bulletin SEV/VSE》 |2014年第11期|6-6|共1页
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