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机译：零瓦特PC为目标

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In Zusammenarbeit mit mehreren führenden Universitäten und Industrieforschungszentren in ganz Europa wurde eine neue Forschungsinitiative lanciert, die sich mit einem Hauptproblem heutiger Elektronik befasst: dem steigenden Energieverbrauch. In dem Projekt mit dem Namen «Stee-per» werden die Forscher neuartige Transistoren entwickeln, sogenannte Tunnel-Feldeffekttransistoren (Tunnel-FETs), die aufgrund ihres speziellen Aufbaus den Stromverbrauch im Vergleich zu heutigen Transistoren um das 10-Fache senken und im Stand-by-Modus praktisch auf null drosseln könnten. In Steeper werden 3 verschiedene Arten von Tunnel-FETs untersucht: Solche auf der Basis von Silizium (Si), Silizium-Germanium (SiGe) und Nano-drähte aus III-V-Halbleitern.

机译：与欧洲的几所领先大学和工业研究中心合作，发起了一项新的研究计划，该计划旨在解决当今电子产品的主要问题之一：增加能耗。在名为“ Stee-per”的项目中，研究人员将开发新型晶体管，即所谓的隧道场效应晶体管（tunnel FET），由于其特殊的设计，与目前的晶体管相比，其电流消耗降低了10倍。模式几乎可以减少到零。 Steeper研究了3种不同类型的隧道FET：基于硅（Si），硅锗（SiGe）以及由III-V半导体制成的纳米线的隧道FET。

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《Bulletin SEV/VSE》 |2010年第12期|p.42|共1页
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