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【24h】

A Practical Design of X-Band Receiver Front-End in 65-nm CMOS

机译：65纳米CMOS中X波段接收器前端的实用设计

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A low-cost low-power area-efficient receiver front-end prototype for X-band applications is presented. The front-end primarily consists of 3 blocks: a single-ended input differential-output Low noise amplifier (LNA), a double balanced down-converter, and Inter-frequency (IF) buffers providing single-ended output. Including are also Low dropout regulators (LDO) and Electrostatic discharge (ESD) protection circuits coinciding with the forgoing blocks. Local oscillator (LO) frequency is chosen such that output signal locates in L/S-band for extending subsequent applications. Experimentally exhibiting a conversion gain of around 44dB with 7.5-dB Single-sideband (SSB) Noise figure (NF), the front-end totally draws 24mA from an external 3.3-V supply. Fabricated in a 65-nm CMOS technology, this compact receiver occupies an area of only 0.22mm2.
机译：提出了一种适用于X波段应用的低成本，低功耗，面积高效的接收机前端原型。前端主要由3个块组成：一个单端输入差分输出低噪声放大器（LNA），一个双平衡下变频器和提供单端输出的异频（IF）缓冲器。其中还包括低压降稳压器（LDO）和静电放电（ESD）保护电路，与上述模块一致。选择本地振荡器（LO）频率，以使输出信号位于L / S频段，以扩展后续应用。实验表明，在7.5dB单边带（SSB）噪声系数（NF）的情况下，其转换增益约为44dB，前端从外部3.3V电源总共汲取24mA电流。这款紧凑型接收器采用65纳米CMOS技术制造，仅占0.22mm2的面积。

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