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摘要

Nach der ?hei?en? Hauptschleife und der INTV_(CC)-Entkoppelschleife sind die n?chsten EMI-Problemquellen h?ufig Gate-Str?me. Selbst moderne MOSFETs haben eine effektive Eingangskapazit?t im ein- bis zweistelligen Nanofaradbereich. Ihre Treiber haben oft Treiberstr?me im Bereich von einigen Ampere, mit Anstiegs- und Abfallzeiten im einstelligen Nanosekundenbereich. Bild 1 ist die FFT-Barstellung des Gate-Stroms in Q2 hinein aus Bild 2. Die grüne Schleife in Bild 2 zeigt den Strompfad für den Bottom-Gate-Strom, der von C1 gespeist wird. Auch diese Schleife soll klein sein. Die Masseverbindung vom Source-Pin von Q2 zum Kondensator Cl l?sst sich einfach mit einer soliden Massefl?che in der n?chsten Lage unter der Bauteilelage realisieren.
机译:之后吗?主回路和INTV_(CC)去耦回路通常是EMI问题的下一个来源,即栅极电流。甚至现代MOSFET的有效输入电容都在一位至两位数纳法范围内。您的驱动器的驱动器电流通常在几安培的范围内,上升和下降时间都在单位十亿分之一秒的范围内。图1是图2中进入Q2的栅极电流的FFT条位置。图2中的绿色环路显示了C1馈送的底部栅极电流的电流路径。这个循环也应该很小。通过Q2的源极引脚到电容器C1的接地连接可以容易地在部件层下面的下一层中具有牢固的接地表面来实现。

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  • 来源
    《Design & Elektronik》 |2013年第5期|18-21|共4页
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