...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Coatings >The Effects of Thermal and Atmospheric Pressure Radio Frequency Plasma Annealing in the Crystallization of TiO2 Thin Films
【24h】

The Effects of Thermal and Atmospheric Pressure Radio Frequency Plasma Annealing in the Crystallization of TiO2 Thin Films

机译：热和大气压射频等离子体退火对TiO2薄膜结晶的影响

获取原文
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Amorphous TiO2 thin films were respectively annealed by 13.56 MHz radio frequency (RF) atmospheric pressure plasma at discharge powers of 40, 60, 80 W and thermal treatment at its corresponding substrate temperature (Ts). Ts was estimated through three measurement methods (thermocouple, Newton’s law of cooling and OH optical emission spectra simulation) and showed identically close results of 196, 264 and 322 °C, respectively. Comparing with thermal annealing, this RF atmospheric pressure plasma annealing process has obvious effects in improving crystallization of the amorphous films, based on the XRD and Raman analysis of the film. Amorphous TiO2 film can be changed to anatase film at about 264 °C of Ts for 30 min plasma treatment, while it almost remains amorphous after 322 °C thermal treatment for the same time.
机译：非晶态TiO2薄膜分别通过13.56 MHz射频（RF）大气压等离子体在40、60、80 W的放电功率下进行退火，并在其相应的基板温度（Ts）下进行热处理。 Ts是通过三种测量方法（热电偶，牛顿冷却定律和OH发射光谱模拟）估算的，分别显示出196、264和322°C的相同接近结果。与热退火相比，基于薄膜的XRD和拉曼分析，这种RF大气压等离子体退火工艺在改善非晶膜的结晶方面具有明显的效果。在约264°C的Ts下进行30分钟的等离子处理，非晶态TiO2膜可以变成锐钛矿膜，而在322°C的热处理下，它几乎保持非晶态。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号