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An improved calculation method of inductance and capacitances in π1 circuits for resonant power amplifiers

机译：谐振功率放大器的π1电路中电感和电容的一种改进的计算方法

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In the paper an improved method of calculation of the inductance and capacitances in the ?€1 circuit for Class A, AB, B, and C resonant power amplifiers is presented. This method is based on an assumption that the quality factor of the inductor is finite and the capacitors are lossless. The input parameters for calculations are the amplifier load resistance, the transistor load resistance, the quality factor of the inductor, the loaded quality factor of the designed circuit, and the operating frequency. The presented method allows reducing the required regulation range of ?€1 circuits elements in built resonant amplifiers as compared to the traditional calculation methods assuming lossless capacitors and inductor. This advantage is important, in particular, for long- and medium-wave transistor power amplifiers, where capacitances in ?€1 circuits are high comparing to typical trimming capacitors.
机译：在本文中，提出了一种改进的方法，用于计算A类，AB类，B类和C类谐振功率放大器的？1电路中的电感和电容。该方法基于以下假设：电感器的品质因数是有限的，电容器是无损耗的。用于计算的输入参数是放大器负载电阻，晶体管负载电阻，电感器的品质因数，设计电路的负载品质因数和工作频率。与传统的假设无损电容器和电感器的计算方法相比，该方法可以减小内置谐振放大器中所需的1电路元件的调节范围。对于长波和中波晶体管功率放大器而言，这一优势尤为重要，与传统的微调电容器相比，长波和中波晶体管功率放大器的€1电路中的电容较高。

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