...
机译:勘误表:采用内置的新型高容差ESD保护电路设计具有限流特性的高可靠性LDO。 10(2013)No. 20 pp。20130516]
机译:内置新型高容差ESD保护电路的具有限流特性的高可靠性LDO设计
机译:勘误表:统一的有源Q因子公式,用于根据Leeson和Hajimiri模型[IEICE Electronics Express Vol。 10(2013)No. 24 pp。20130806]
机译:勘误表:陷阱中心对AlGaN / GaN共振隧穿二极管的影响[IEICE Electronics Express Vol。 10(2013)19号第20130588页]
机译:具有电流限制特性的高可靠性LDO设计新型高公差ESD保护电路