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首页> 外文期刊>International Journal of Electrochemical Science >Growth of a Cu(Co) film by underpotential deposition of Co and controlling the time of the surface-limited redox replacement of Cu
【24h】

Growth of a Cu(Co) film by underpotential deposition of Co and controlling the time of the surface-limited redox replacement of Cu

机译：通过Co的欠电位沉积和控制Cu的表面受限氧化还原置换的时间来生长Cu（Co）膜

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Alternating between the underpotential deposition (UPD) of Co and surface-limited redox replacement(SLRR) of Cu enables the growth of a Cu(Co) film in a layer-by-layer manner. The technique is essentialfor fabricating Cu interconnects in nano-sized microelectronics. This work presents a technique tocontrol the composition of a Cu(Co) film by controlling the time of the open circuit potential (OCP)during the SLRR of Cu because a longer OCP time results in a greater replacement of the UPD-Co byCu 2+ . The results of this work further show that the addition of H 3 BO 3 to the Co electrolyte enhances thedeposition of UPD-Co without the formation of Co(OH) 2 . The crystalline structure of the resultant film isexamined by X-ray diffraction to confirm the formation of the Cu(Co) film. The effect of the additionof H 3 BO 3 to the Co electrolyte on the formation of the Cu(Co) film via the proposed process isdemonstrated.
机译：通过在Co的电位不足沉积（UPD）和Cu的表面有限氧化还原置换（SLRR）之间进行交替操作，可以逐层地生长Cu（Co）膜。该技术对于制造纳米微电子中的铜互连至关重要。这项工作提出了一种技术，可通过控制Cu的SLRR期间的开路电位（OCP）时间来控制Cu（Co）膜的成分，因为更长的OCP时间会导致Cu 2+替代UPD-Co更大。 。这项工作的结果进一步表明，向Co电解质中添加H 3 BO 3可以增强UPD-Co的沉积而不会形成Co（OH）2。通过X射线衍射检查所得膜的晶体结构，以确认形成了Cu（Co）膜。证明了通过所提出的方法向Co电解质中添加H 3 BO 3对形成Cu（Co）膜的影响。

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