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V型液晶分子系统的蒙特卡罗模拟

机译：V型液晶分子系统的蒙特卡罗模拟

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本文采用蒙特卡罗方法研究电偶极矩对V型液晶分子系统相变行为的影响。计算结果表明，随着分子电偶极矩强度的增加，系统的朗道点，即各向同性相到双轴向列相的相变不仅仅发生在当分子夹角为正四面体角()时，而是出现了一系列的朗道点，换句话说，朗道点变成了一条朗道线。此外，双轴向列相的范围明显扩大，从而大大提高双轴向列相出现的概率。
机译：本文采用蒙特卡罗方法研究电偶极矩对V型液晶分子系统相变行为的影响。计算结果表明，随着分子电偶极矩强度的增加，系统的朗道点，即各向同性相到双轴向列相的相变不仅仅发生在当分子夹角为正四面体角()时，而是出现了一系列的朗道点，换句话说，朗道点变成了一条朗道线。此外，双轴向列相的范围明显扩大，从而大大提高双轴向列相出现的概率。

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  • 来源
    《Modern Physics》 |2013年第3期|共8页
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