> 3 MW peak power at 266 nm using Nd:YAG/ Cr4+:YAG microchip laser and fluxless-BBO

R. Bhandari; T. Taira; A. Miyamoto; Y. Furukawa; T. Tago

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> 3 MW peak power at 266 nm using Nd:YAG/ Cr4+:YAG microchip laser and fluxless-BBO

机译：使用Nd：YAG / Cr 4 + ：YAG微芯片激光器和无通量BBO在266 nm处的峰值功率> 3 MW

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Wavelength conversion efficiency to the UV region is limited by a host of factors. To overcome several of these constraints, we use a fluxless-grown BBO crystal for fourth harmonic conversion of a linearly polarized Nd:YAG microchip laser, passively Q-switched with [110] cut Cr4+:YAG. The high quality BBO crystal used in the picosecond pulse width regime enables 60% conversion efficiency to give 3.4 MW peak power, 250 ps, 100 Hz pulses at 266 nm.

机译：紫外线区域的波长转换效率受到许多因素的限制。为了克服其中的一些限制，我们使用无助熔剂生长的BBO晶体对线性偏振Nd：YAG微芯片激光器进行四次谐波转换，并使用[110]切割的Cr4 +：YAG进行了无源Q开关。皮秒脉冲宽度范围内使用的高质量BBO晶体能够实现60％的转换效率，从而在266 nm处产生3.4 MW峰值功率，250 ps，100 Hz脉冲。

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来源
《Optical Materials Express》 |2012年第7期|共7页
作者
R. Bhandari; T. Taira; A. Miyamoto; Y. Furukawa; T. Tago;
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