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Room temperature in-plane ferroelectricity in van der Waals In2Se3

机译：范德华斯In2Se3中的室温面内铁电

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Van der Waals (vdW) assembly of layered materials is a promising paradigm for creating electronic and optoelectronic devices with novel properties. Ferroelectricity in vdW layered materials could enable nonvolatile memory and low-power electronic and optoelectronic switches, but to date, few vdW ferroelectrics have been reported, and few in-plane vdW ferroelectrics are known. We report the discovery of in-plane ferroelectricity in a widely investigated vdW layered material, β′-In2Se3. The in-plane ferroelectricity is strongly tied to the formation of one-dimensional superstructures aligning along one of the threefold rotational symmetric directions of the hexagonal lattice in the c plane. Surprisingly, the superstructures and ferroelectricity are stable to 200°C in both bulk and thin exfoliated layers of In2Se3. Because of the in-plane nature of ferroelectricity, the domains exhibit a strong linear dichroism, enabling novel polarization-dependent optical properties.
机译：范德华（vdW）层状材料的组装是一种有前途的范例，可用于创建具有新颖特性的电子和光电设备。 vdW层状材料中的铁电可以实现非易失性存储器以及低功耗电子和光电开关，但是迄今为止，已经报道了很少的vdW铁电体，并且很少有平面内vdW铁电体。我们报道了在广泛研究的vdW层状材料β'-In 2 Se 3 中发现面内铁电的发现。平面内铁电与沿着c平面中六边形晶格的三重旋转对称方向之一对齐的一维超结构的形成紧密相关。出乎意料的是，In 2 Se 3 的块状和薄层剥落层中的超微结构和铁电稳定在200°C。由于铁电的平面内性质，这些畴表现出很强的线性二向色性，从而实现了新颖的偏振相关光学特性。

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