Ti(20 nm)/Al(30 nm)/P型4H-SiC LDMOSFET欧姆接触的改善

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Ti(20 nm)/Al(30 nm)/P型4H-SiC LDMOSFET欧姆接触的改善

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碳化硅横向双扩散金属-氧化物-半导体晶体管(Silicon Carbide laterally diffused Metal-Oxide-Semi- conductor Field Effect Transistor, SiC LDMOSFET)在高压集成电路中有着越来越广泛的应用前景。目前为止，依旧存在着限制SiC LDMOSFET器件进一步发展的瓶颈，欧姆接触便是其中之一。对于p型碳化硅，金属铝被认为是有利于形成欧姆接触的材料，但厚度较厚。研究表明，钛的加入能减小接触电阻，提高热稳定性。主要研究了一种新组分的钛/铝薄层金属用于p型4H-SiC的欧姆接触。通过溅射台将Ti(20 nm)/Al(30 nm)金属电极先后溅射到掺杂浓度为1 × 1020 cm?3的p型4H-SiC上，然后在氩气氛围中快速热退火(退火温度为1000℃，时间为2.5 min)形成欧姆接触。用传输线方法测量比接触电阻。最终得到比接触电阻值的优值为5.71 × 10?4 Ω?cm2，比预期结果的比接触电阻值降低了一个量级。此结果对Ti/Al基p型SiC LDMOSFET的进一步研究有着积极的意义。

机译：碳化硅横向双扩散金属-氧化物-半导体晶体管(Silicon Carbide laterally diffused Metal-Oxide-Semi- conductor Field Effect Transistor, SiC LDMOSFET)在高压集成电路中有着越来越广泛的应用前景。目前为止，依旧存在着限制SiC LDMOSFET器件进一步发展的瓶颈，欧姆接触便是其中之一。对于p型碳化硅，金属铝被认为是有利于形成欧姆接触的材料，但厚度较厚。研究表明，钛的加入能减小接触电阻，提高热稳定性。主要研究了一种新组分的钛/铝薄层金属用于p型4H-SiC的欧姆接触。通过溅射台将Ti(20 nm)/Al(30 nm)金属电极先后溅射到掺杂浓度为1 × 1020 cm?3的p型4H-SiC上，然后在氩气氛围中快速热退火(退火温度为1000℃，时间为2.5 min)形成欧姆接触。用传输线方法测量比接触电阻。最终得到比接触电阻值的优值为5.71 × 10?4 Ω?cm2，比预期结果的比接触电阻值降低了一个量级。此结果对Ti/Al基p型SiC LDMOSFET的进一步研究有着积极的意义。

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《Smart Grid》 |2015年第5期|共8页
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中图分类输配电工程、电力网及电力系统;
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