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Frequency response optimization of dual depletion InGaAs/InP PIN photodiodes

机译：双耗尽InGaAs / InP PIN光电二极管的频率响应优化

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The frequency response of a dual depletion p-i-n (PIN) photodiode structure is investigated. It is assumed that the light is incident on the N side and the drift region is located between the N contact and the absorption region. The numerical model takes into account the transit time and the capacitive effects and is applied to photodiodes with non-uniform illumination and linear electric field profile. With an adequate choice of the device’s structural parameters, dual depletion photodiodes can have larger bandwidths than the conventional PIN devices.
机译：研究了双耗尽p-i-n（PIN）光电二​​极管结构的频率响应。假设光入射在N侧，并且漂移区位于N触点和吸收区之间。该数值模型考虑了渡越时间和电容效应，并应用于具有非均匀照度和线性电场分布的光电二极管。与设备的结构参数的适当选择，双耗尽的光电二极管可以具有比传统的PIN器件更大的带宽。

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