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Growth, HRXRD, Microhardness and Dielectric Studies on the NLO Material L-Alaninium Maleate

机译：NLO材料马来酸铝镧的生长，HRXRD，显微硬度和介电研究

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The single crystals of the NLO material, L-Alaninium maleate were grown by using the submerged seed solutionmethod. The identity of the crystal was confirmed by single crystal X-ray diffraction. The crystalline perfection wasanalyzed using high resolution X-ray diffraction and it was found that the crystalline perfection is quite good. The valuesof the laser damage threshold and the Vicker’s microhardness are in the higher range. The dielectric studies at differenttemperatures showed that the dielectric constant and dielectric loss have low values at higher frequencies and these valuesare independent of the temperature. The details are presented and discussed.
机译：通过使用浸入式种子溶液法，可以生长NLO材料马来酸L-铝铵盐的单晶。通过单晶X射线衍射确认晶体的身份。使用高分辨率X射线衍射分析了晶体完美度，并且发现晶体完美度非常好。激光损伤阈值和维氏显微硬度的值在较高范围内。在不同温度下的介电研究表明，介电常数和介电损耗在较高频率下具有较低的值，并且这些值与温度无关。详细介绍和讨论。

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