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マグネトロンスパッタ法におけるイオン衝撃の評価

机译：磁控溅射法中离子冲击的评估

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Momentum of ion bombardment in sputtering deposition process, which strongly depends on internal stress of thin film, has been evaluated regarding to a new parameter P_(i) we previously proposed for fine-tuning of mechanical, optical, electrical and magnetic properties. In this study, we demonstrate to estimate the Pi defined as (i/a) p , where i the ion flux, a the atom flux and p the ion’s momentum, by means of Langmuir probe and multi-grid analyzer in a function of negative bias voltage applied on substrates V_(sub) . As a result, it was found that the P_(i) was roughly proportional to V_(sub) except on lower voltage than 30 V. This indicates that the P_(i) should be measured plasma-diagnostically under incident ion energy as low as plasma potential.
机译：溅射沉积过程中离子轰击的动量很大程度上取决于薄膜的内应力，已经针对我们先前提出的用于机械，光学，电和磁性能的微调的新参数P_（i）进行了评估。在这项研究中，我们证明了通过Langmuir探针和多网格分析仪以负函数的形式估计的Pi定义为（i / a）p，其中i离子通量，a原子通量和p离子动量。施加在基板V_（sub）上的偏置电压。结果发现，除了在低于30 V的电压下，P_（i）与V_（sub）大致成比例。这表明应在等离子体诊断下以低至入射离子能量测量P_（i）。血浆电势。

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