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水素-アルゴン混合スパッタリング法により作製したBi2Te3薄膜の構造評価

机译：氢氩混合溅射法制备Bi 2 Te 3 薄膜的结构评价

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We prepared bismuth telluride (Bi_(2)Te_(3)) thin film using radio-frequency magnetron sputtering with different H_(2)-Ar gas mixing ratios, and investigated the structural properties of the Bi_(2)Te_(3) thin films. The deposition rate of the thin films decreased as the mixing ratio was increased because tellurium atoms were lost from the films via the chemical reaction between the tellurium and hydrogen atoms. This phenomenon was supported with the results of the other analyses such as scanning electron microscopy (SEM), electron probe microanalyzer (EPMA), and X-ray diffraction method (XRD). The highest crystallinity was obtained at the H_(2)-Ar gas mixing ratio of 5%. When the H_(2) gas was introduced, the oxygen concentration near film surface decreased. Therefore, we conclude that the crystallinity and dense structure of Bi_(2)Te_(3) thin films improved by introducing an optimal amount of hydrogen gas in the sputtering deposition. It can be expected that the electrical conductivity of the thin films improves owing to the enhancement of electron transport.
机译：我们使用不同H_（2）-Ar气体混合比的射频磁控溅射制备了碲化铋（Bi_（2）Te_（3））薄膜，并研究了Bi_（2）Te_（3）薄膜的结构性能电影。薄膜的沉积速率随着混合比的增加而降低，因为碲原子通过碲和氢原子之间的化学反应从薄膜中损失了。其他分析（例如，扫描电子显微镜（SEM），电子探针显微分析仪（EPMA）和X射线衍射法（XRD））的结果支持了这种现象。在H_（2）-Ar气体混合比为5％时获得最高的结晶度。当引入H_（2）气体时，膜表面附近的氧浓度降低。因此，我们得出结论，通过在溅射沉积中引入最佳量的氢气，Bi_（2）Te_（3）薄膜的结晶度和致密结构得到了改善。可以预期，由于电子传输的增强，薄膜的电导率得以改善。

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