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首页> 外文期刊>Digest Journal of Nanomaterials and Biostructures >AB INITIO STUDY OF STRUCTURAL, ELECTRONIC AND OPTICAL PROPERTIES OF Al-DOPED SnO2
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AB INITIO STUDY OF STRUCTURAL, ELECTRONIC AND OPTICAL PROPERTIES OF Al-DOPED SnO2

机译：掺Al的SnO2的结构，电子和光学性质的从头算研究

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The structural, electronic and optical properties of pu re and doped trivalent elementAl (x=0, 0.0625, in SnO 2 have been studied using full potential linearizedaugmented plane wave (FP LAPW) method based on dens ity functional theory . Thestructural and electronic results indicate d th at as the Al concentration increases in rutiletetragonal SnO 2 , lattice parameters decrease s 0.01 A? and 0.02 A? and for c are 0.02 A? and 0.038 A?) and band gap increases 2.84 ~ 3.17 eV Fermi level shift into valence band andmaterial tend s to convert into p type semiconductor . O ptical properties shows, that withincreasing Al concentration in SnO 2 transparency increases and absorption spectrum has asignificant blue shift . Furthermore, high static value of dielectric constant (10.5), refractiveindex (3.45) and low reflectivity was observed in visible region. The wide band gap andtransparent behavior for ultra violet and visible region makes it important material fortransparent applications.
机译：利用基于密度泛函理论的全势线性化增强平面波（FP LAPW）方法研究了SnO 2中掺杂的三价元素Al（x = 0，0.0625，）的结构，电子和光学性质，结构和电子结果表明随着金红石型四方SnO 2中Al浓度的增加d th，晶格参数s降低0.01 A 2和0.02 A 2，而c分别降低0.02 A 2和0.038 A 3，并且带隙增加2.84〜3.17 eV费米能级跃迁到价带材料趋于转变为p型半导体。光学特性表明，SnO 2透明度中不断增加的Al浓度增加，吸收光谱具有明显的蓝移。此外，在可见光区域观察到介电常数（10.5），折射率（3.45）和反射率低的高静态值。紫外和可见光区的宽带隙和透明特性使其成为透明应用的重要材料。

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