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【24h】

Body engineering structure for ZnO thin-film transistors: a Schottky-contact-merged ZnO TFT

机译：ZnO薄膜晶体管的车身工程结构：肖特基接触合并的ZnO TFT

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In this paper, a new body engineering structure for ZnO thin-film transistors (TFTs), a Schottky-contact-merged (SCM) ZnO TFT, is proposed, in which the Schottky contact is formed on the body of the ZnO TFT to improve the electrical characteristics without requiring an additional mask and process. In a conventional bottom-gate ZnO TFT, the I–V characteristics usually show a negative-shifted turn-on voltage (V ON) with a large subthreshold slope (SS). By adapting the suggested structure, V ON could be shifted from?13 to?4.4?V with the additional improvement of SS from 1.5 to 0.48?V/decade. In addition, the SCM structure has better electrical stability, which means that it allows for better control of the charge trapping during bias operations.
机译：本文提出了一种新型的ZnO薄膜晶体管（TFT）的人体工程结构，即肖特基接触合并（SCM）ZnO TFT，其中在ZnO TFT的主体上形成了肖特基接触以改进无需额外的掩膜和工艺即可实现电气特性。在常规的底栅ZnO TFT中，IV特性通常显示出具有负亚阈值斜率（SS）的负移导通电压（V ON）。通过调整建议的结构，可以将SS的附加值从1.5降低到0.48？V /十倍，从而将V ON从？13变为？4.4？V。此外，SCM结构具有更好的电稳定性，这意味着它可以在偏置操作期间更好地控制电荷俘获。

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