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首页> 外文期刊>Journal of the Ceramic Society of Japan >ZnO thin-film transistor grown by rf sputtering using Zn metal target and oxidizer pulsing
【24h】

ZnO thin-film transistor grown by rf sputtering using Zn metal target and oxidizer pulsing

机译：射频溅射使用锌金属靶材和氧化剂脉冲生长的ZnO薄膜晶体管

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We studied ZnO films grown by rf sputtering using Zn metal targets. During the growth the metal target can be at a metal or at an oxide mode, depending on oxidation of the target surface. At a metal mode the target surface is free of oxide, and the sputtering yield is higher, but deposited ZnO films show poor transistor characteristics. ZnO films deposited at an oxide mode show better transistor characteristics, but the sputtering yield is lower. In order to solve these problems, we supplied oxidizer gas as pulses during the growth. We hoped that the target condition could be controlled by varying parameters of the pulses. Our ZnO was grown at 450°C using CO2 or O2 as an oxidizer. After sputtering growth ZnO films were annealed in mixture of CO2 and H2 at 400°C. With these methods, bottom-gate ZnO thin-film transistor showed 6.5 cm2/Vsec mobility, 5 × 106 on/off ratio, and ?5 V threshold voltage.
机译：我们研究了通过射频溅射使用锌金属靶材生长的ZnO薄膜。在生长期间，取决于靶表面的氧化，金属靶可以处于金属或氧化物模式。在金属模式下，目标表面没有氧化物，溅射产率更高，但是沉积的ZnO薄膜显示出较差的晶体管特性。以氧化物模式沉积的ZnO薄膜显示出更好的晶体管特性，但溅射率却较低。为了解决这些问题，我们在生长过程中以脉冲形式提供了氧化剂气体。我们希望可以通过改变脉冲参数来控制目标条件。我们的ZnO使用CO 2 或O 2 作为氧化剂在450°C下生长。溅射生长后，ZnO薄膜在400°C的CO 2 和H 2 的混合物中退火。通过这些方法，底栅ZnO薄膜晶体管显示出6.5 cm 2 / Vsec迁移率，5×10 6 导通/截止比和？5 V阈值电压。

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