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首页> 外文期刊>Journal of the Ceramic Society of Japan >Low-temperature spark plasma sintering of alumina by using SiC molding set
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Low-temperature spark plasma sintering of alumina by using SiC molding set

机译：用SiC成型机对氧化铝进行低温火花等离子体烧结

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Fully dense transparent alumina is obtained after spark plasma sintering at 1000°C by using the electrically conductive SiC molding set. Compared to the conventional graphite set, the new mold material lowered the sintering temperature by 150°C for full densification. The SiC set has a lower electrical conductivity than that of the graphite set, which resulted in higher electric field during heating. The enhanced densification is attributed to the high electric field. In this study, the effects of the electric field and the heating rate on the densification of alumina are examined with the SiC molding set, and compared to the results with the graphite set.
机译：通过使用导电SiC模制套件在1000°C下进行火花等离子体烧结后，可以获得完全致密的透明氧化铝。与传统的石墨套件相比，新的模具材料将烧结温度降低了150°C，从而实现了完全致密化。 SiC组的电导率低于石墨组的电导率，这导致加热过程中的电场更高。增强的致密化归因于高电场。在这项研究中，使用SiC成型装置检查了电场和加热速率对氧化铝致密化的影响，并与使用石墨成型装置的结果进行了比较。

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