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【24h】

Dually crosslinkable SiO2@polysiloxane core–shell nanoparticles for flexible gate dielectric insulators

机译：可双向交联的SiO 2 @聚硅氧烷核壳纳米粒子，用于柔性栅介质绝缘体

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A hybrid gate dielectric material for flexible OTFT is developed by using core–shell nanoparticles (SiO2@PSRXL) where the core and the shell consist of silica nanoparticles and polysiloxane resin, respectively. Since polysiloxane resin contains both thermal- and photo-crosslinkable functional groups, densely-crosslinked thin gate dielectric films can be easily prepared on various substrates by conventional solution casting followed by dual crosslinking. SiO2@PSRXL films exhibit high thermal stability (weight loss at 300 °C is smaller than 3 wt%). The dielectric films made of SiO2@PSRXL show an exceptionally low leakage current and no breakdown voltage up to 4.3 MV cm?1, which are comparable to those of silica dielectrics prepared by CVD. OTFT devices based on dibenzothiopheno[6,5-b:6′,5′-f]thieno[3,2-b]thiophene (DTBTT) as a semiconductor and SiO2@PSRXL as a gate dielectric exhibit good hole mobility (2.5 cm2 V?1 s?1) and Ion/Ioff ratio (106).
机译：利用核-壳纳米粒子（SiO 2 @PSR XL ），其中核和壳分别由二氧化硅纳米颗粒和聚硅氧烷树脂组成。由于聚硅氧烷树脂同时包含可热交联和可光交联的官能团，因此可以通过常规溶液浇铸，然后进行双交联，在各种基板上轻松制备致密交联的薄栅介质薄膜。 SiO 2 @PSR XL 薄膜具有很高的热稳定性（300°C时的重量损失小于3 wt ％）。由SiO 2 @PSR XL 制成的介电膜显示出极低的漏电流，并且在达到4.3 MV cm ？1 ，与CVD制备的二氧化硅电介质相当。基于二苯并噻吩[6,5- b ：6'，5'- f ] thieno [3,2- b ]噻吩的OTFT器件（DTBTT）作为半导体和SiO 2 @PSR XL 作为栅极电介质具有良好的空穴迁移率（2.5 cm 2 V ？1 s ？1 ）和 I on / I off 比率（10 6 ）。

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