Thermoelectric properties of DO3 V3Al using first principles calculations

Xiaorui Chen; Yuhong Huang; Hong Chen

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Thermoelectric properties of DO₃ V₃Al using first principles calculations

机译：用第一性原理计算DO _{3 V _{3 Al的热电性能}}

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The structural, electronic, and thermoelectric properties of DO₃ V₃Al in the paramagnetic (PM) and antiferromagnetic (AF) phases are investigated using the semi-classical Boltzmann theory in combination with deformation potential theory from first-principles calculations. The structural results are consistent with other theoretical and experimental data. AF-DO₃ V₃Al is verified to be a gapless semiconductor. Based on the calculated relaxation time τ and lattice thermal conductivity κ_L, the thermoelectric properties of PM-DO₃ and AF-DO₃ V₃Al have been predicted. Compared with PM-DO₃ V₃Al, the AF-DO₃ phase exhibits favorable thermoelectric performance. The optimized thermoelectric figure of merit ZT of the p-type AF-DO₃ phase can be as high as 0.32 at T = 500 K. It is possible to make V₃Al a promising candidate for efficient thermoelectricity by reducing its thermal conductivity.

机译：DO _{3 V _{3 Al在顺磁（PM）和反铁磁中的结构，电子和热电性质（AF）相使用半经典Boltzmann理论与变形势理论结合第一原理计算进行研究。结构结果与其他理论和实验数据一致。验证了AF-DO _{3 V _{3 Al是无间隙半导体。基于计算的弛豫时间τ和晶格热导率κ _{L ，PM-DO的热电特性 _{3 和AF-DO _{3 V _{3 Al已经被预测。与PM-DO _{3 V _{3 Al相比，AF-DO _{3 相表现出良好的热电性能。 p型AF-DO _{3 相的优化热电品质因数 ZT 在 T <时可高达0.32 / em> = 500K。可以通过降低V _{3 Al的热导率使其成为有效热电的有希望的候选者。}}}}}}}}}}}}} 展开▼

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来源
《RSC Advances》 |2017年第71期|共8页

作者
Xiaorui Chen; Yuhong Huang; Hong Chen;
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正文语种

中图分类化学;

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