• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>RSC Advances >Molybdenum trioxide thin film recombination barrier layers for dye sensitized solar cells
【24h】

Molybdenum trioxide thin film recombination barrier layers for dye sensitized solar cells

机译：染料敏化太阳能电池用三氧化钼薄膜复合阻挡层

获取原文
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

A physical vapor deposition based molybdenum trioxide (MoO3) thin film is demonstrated as an efficient reverse-electron recombination barrier layer (RBL) at the fluorine doped tin oxide (FTO)/titanium dioxide (TiO2) interface in dye sensitized solar cells (DSSCs). Thin films of MoO3 show an average optical transmittance of ～77% in a spectral range of 350–800 nm with bandgap value of ～3.1 eV. For an optimum thickness of MoO3, deposited for 5 minutes, the resulting DSSCs showed 15% enhancement in efficiency (η) compared to the reference DSSC which did not use MoO3 RBL; this suggests that MoO3 is effectively suppressing interfacial recombination at the FTO/TiO2 interface. Further, increasing the thickness of MoO3 RBL at the FTO/TiO2 interface (20 minutes deposition) is observed to impede charge transport, as noticed with 55% reduction in η compared to the reference DSSC. Thin film MoO3 RBL with an optimum thickness value at the FTO/TiO2 interface efficiently blocks the leaky transport pathways in the mesoporous TiO2 nanoparticle layer and facilitates efficient charge transport as confirmed by electrochemical impedance spectroscopy.
机译：基于物理气相沉积的三氧化钼（MoO 3 ）薄膜被证明是掺氟氧化锡（FTO）上的高效反向电子复合阻挡层（RBL）染料敏化太阳能电池（DSSC）中的二氧化钛（TiO 2 ）界面。 MoO 3 薄膜在350-800 nm光谱范围内的平均光透射率为〜77％，带隙值为〜3.1 eV。对于沉积5分钟的最佳厚度的MoO 3 ，与参考相比，所得DSSC的效率（η）提高了15％不使用MoO 3 RBL的DSSC;这表明MoO 3 在FTO / TiO 2 界面处有效地抑制了界面复合。此外，在FTO / TiO 2 界面（沉积20分钟）增加MoO 3 RBL的厚度是与参考DSSC相比，η减少了55％，这表明电荷阻碍了电荷的传输。在FTO / TiO 2 界面处具有最佳厚度值的薄膜MoO 3 RBL有效地阻止了泄漏的传输介孔TiO 2 纳米颗粒层中的分子通道，并通过电化学阻抗谱证实了有效的电荷传输。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号