Vertical Al2Se3/MoSe2 heterojunction on sapphire synthesized using ion beam

Hsu-Sheng Tsai; Jhe-Wei Liou; Yi-Chung Wang; Chia-Wei Chen; Yu-Lun Chueh; Ching-Hung Hsiao; Hao Ouyang; Wei-Yen Woon; Jenq-Horng Liang

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Vertical Al₂Se₃/MoSe₂ heterojunction on sapphire synthesized using ion beam

机译：离子束合成的蓝宝石上的垂直Al _{2 Se _{3 / MoSe _{2 异质结}}}

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The vertical Al₂Se₃/MoSe₂ heterojunction on sapphire was first fabricated via an ion beam-assisted process. The MoSe₂ was formed via Mo selenization, while Al₂Se₃ was formed via Se substitution for O in sapphire. The applications of this heterojunction will be developed in the future.

机译：垂直Al _{2 Se _{3 / MoSe _{2 蓝宝石上的异质结首先是通过离子束辅助工艺制造的。 MoSe _{2 通过硒化形成，而Al _{2 Se _{3 是通过蓝宝石中O的Se取代形成的。该异质结的应用将在未来开发。}}}}}} 展开▼

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来源
《RSC Advances》 |2017年第17期|共4页

作者
Hsu-Sheng Tsai; Jhe-Wei Liou; Yi-Chung Wang; Chia-Wei Chen; Yu-Lun Chueh; Ching-Hung Hsiao; Hao Ouyang; Wei-Yen Woon; Jenq-Horng Liang;
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中图分类化学;

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