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首页> 外文期刊>Bulletin of the American Physical Society >APS -APS March Meeting 2017 - Event - Spin and Optical Properties of the V1 Silicon Vacancy Defect in Silicon Carbide at Low Temperature
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APS -APS March Meeting 2017 - Event - Spin and Optical Properties of the V1 Silicon Vacancy Defect in Silicon Carbide at Low Temperature

机译：APS -APS 2017年3月会议-事件-低温下碳化硅中V1硅空位缺陷的自旋和光学性质

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Silicon carbide (SiC), a technologically-relevant wide-bandgap semiconductor, offers spin-active color-centers and features very long electronic spin coherence times [1,2] which potentially can be applied for sensing [3]. According to Kramers theorem, the degeneracy of S$=$3/2 spin sublevels cannot be broken by strain and electric fields, thereby providing a robust spin-photon interface [4]. In this study, we will investigate the properties of the silicon vacancy in 4H-SiC. In particular, we will present optical spectroscopic study for the two zero phonon lines known as V1 and V1'. Additionally, we will show coherent optical and spin properties of the V1 and V1' line and discuss the possibility of the V1-defect as a qubit for quantum computing and communication. [1] Luke Gordon et al., MRS Bulletin, 38, 802 (2013)[2] M. Widmann et al., Nat. Mater. 14, 164 (2015)[3] B. Grotz et al., New J. Phys. 13, (2011)[4] O. O. Soykal et al., Phys. Rev. B 93, 081207(R) (2016))
机译：碳化硅（SiC）是与技术相关的宽带隙半导体，具有自旋活性色心，并且具有非常长的电子自旋相干时间[1,2]，可潜在地用于传感[3]。根据Kramers定理，S $ = $ 3/2自旋子能级的简并不能通过应变和电场来破坏，从而提供了强大的自旋-光子界面[4]。在这项研究中，我们将研究4H-SiC中硅空位的性质。特别是，我们将对称为V1和V1'的两个零声子线进行光谱研究。此外，我们将展示V1和V1'线的相干光学和自旋特性，并讨论V1缺陷作为量子计算和通信的量子位的可能性。 [1] Luke Gordon等人，MRS Bulletin，38，802（2013）[2] M. Widmann等人，Nat。母校14，164（2015）[3] B. Grotz等人，New J. Phys。 13（2011）[4] O. O. Soykal等人，Phys。 B 93，081207（R）（2016）版本）

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