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【24h】

Unconventional Type III Halogen···Halogen Interactions: A Quantum Mechanical Elucidation of σ-Hole···σ-Hole and Di-σ-Hole Interactions

机译：III型卤素·卤素相互作用：Σ-孔的量子力学阐明，Σ-孔和DI-Σ - 孔相互作用

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Herein, two unconventional type III halogen···halogen interactions, namely, σ-hole···σ-hole and di-σ-hole interactions, were reported in a series of halogenated complexes. In type III, the A-halogen···halogen angles are typically equal to 180°, and the occurrence of σ-hole on halogen atoms is mandatory. Using diverse quantum mechanical calculations, it was demonstrated that the occurrence of such interactions with binding energies varied from ?0.35 to ?1.30 kcal/mol. Symmetry-adapted perturbation theory-based energy decomposition analysis (SAPT-EDA) revealed that type III interactions are dominated by dispersion forces, while electrostatic forces are unfavorable. Cambridge Structure Database (CSD) survey unveiled the experimental evidence for the manifestation of σ-hole···σ-hole interactions in crystal structures. This work might be deemed as a foundation for a vast number of forthcoming crystal engineering and materials science studies.
机译：这里，在一系列卤化络合物中报道，两种非常规型III型卤素····卤素相互作用，即，Σ-孔...σ孔和二σ孔相互作用。在III型中，卤素···卤素角通常等于180°，并且卤素原子上的σ孔的发生是强制性的。使用不同的量子力学计算，证明了与结合能的这种相互作用从Δ0.35变化为0.35至1.30千卡/摩尔。对称性适应的扰动理论的能量分解分析（SAPT-EDA）揭示了III型相互作用以分散力为主，而静电力是不利的。剑桥结构数据库（CSD）调查推出了Σ-孔的表现的实验证据，σ-孔·Σ - σ孔中的晶体结构中的相互作用。这项工作可能被视为大量即将到来的水晶工程和材料科学研究的基础。

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