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Investigation of Elastic Energy on Single Crystal GaN Nanobeams with Different Span

机译：用不同跨度对单晶GaN纳米群弹性能量的研究

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This research presents a novel technique which can more efficiently fabricate different spans of nanobeams on the same substrate. It requires less time to prepare specimen and further shortens the process of aligning, clamping, and testing. Also, we probe into the elastic deformation properties of clamped freestanding GaN nanobeams with different spans. In the bending process, displacement,D, corresponding to load,Pis strongly dependent on the span of nanobeam at the same penetration depth and a distinct linearity is observed. Young’s moduliEof the GaN in this study are calculated as 171.3 GPa ±5.4% and 264.2 GPa ±4.7% by strain energy methods, respectively, for the longer and shorter spans of nanobeams, serving as a simple supporting beam of elastic material under small deformation. The result shows that, even under small deformation, the rigidity enhancement helps the shorter nanobeam store more elastic energy.
机译：该研究提出了一种新颖的技术，其可以更有效地制造在同一基板上的纳米束的不同跨度。它需要更少的时间来准备样品，并进一步缩短对准，夹紧和测试的过程。此外，我们用不同的跨度探测夹紧独立的GaN纳米射纳米的弹性变形特性。在弯曲过程中，观察到对应于负载的位移，D，PIS在相同的穿透深度处具有强烈依赖于纳米阵线的跨度和不同的线性性。本研究中GAN的杨氏模件分别通过应变能方法计算为171.3GPa±5.4％和264.2GPa±4.7％，用于较长且较短的纳米芯片的跨度，作为小变形下的简单的弹性材料的简单支撑束。结果表明，即使在小变形下，刚性增强也有助于较短的纳米射存储更多的弹性能量。

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