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Digital Predistorter Design Using a Reduced Volterra Model to Linearize GaN RF Power Amplifiers

机译：数字预失真器设计使用减少的Volterra模型来线性化GaN RF功率放大器

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In this paper, a novel method for reducing a Simplified Volterra Series (SVS) model size is proposed for GaN RF Power Amplifier (PA) Digital Predistorter (DPD) design. Using the SVS-modified model, the number of coefficients needed for the PA behavioral modeling and predistortion can be reduced by 60 % while maintaining acceptable performances. Simulation and implementation tests are performed for a Class AB GaN PA and Doherty GaN PA using a 20-MHz Long Term Evolution-Advanced (LTE-A) signal. The Adjacent Channel Power Ratio (ACPR) attains -40 dB and -41 dB for the Doherty and Class AB GaN PAs, respectively. The implementation complexity is also studied and the obtained results prove the capability of the proposed model to linearize PA using 3% of the Slice LUTs and 87% of the DSP48E1 available in the Xilinx Zynq-7000 FPGA.
机译：本文提出了一种用于减少简化Volterra系列（SVS）模型大小的新方法，用于GaN RF功率放大器（PA）数字预失真器（DPD）设计。使用SVS修改模型，PA行为建模和预失真所需的系数的数量可以减少60％，同时保持可接受的性能。使用20MHz长期演进 - 先进（LTE-A）信号对AB GaN PA和Doherty GaN PA进行仿真和实现测试。相邻的信道功率比（ACPR）分别达到Doherty和AB级GaN PAS的40dB和-41dB。研究了实现复杂性，并且所获得的结果证明了所提出的模型在Xilinx Zynq-7000FPGA中使用3％的切片LUT和87％的DSP48E1线性化PA的能力。

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