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【24h】

Dual-gate low-voltage transparent electric-double-layer thin-film transistors with a top gate for threshold voltage modulation

机译：双栅极低压透明电双层薄膜晶体管，具有顶部栅极，用于阈值电压调制

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Dual gate (DG) low-voltage transparent electric-double-layer (EDL) thin-film transistors (TFTs) with microporous-SiO _(2) for both top and bottom dielectrics have been fabricated, both dielectrics were deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) at room temperature. The threshold voltage of such devices can be modulated from ?0.13 to 0.5 V by the top gate (TG), which switches the device from depletion-mode to enhancement-mode. High performance with a current on/off ratio (～2.1 × 10 ~(6) ), subthreshold swing (76 mV per decade), operating voltage (1.0 V), and field-effect mobility (～2.6 cm ~(2) V ~(?1) s ~(?1) ) are obtained. Such DG TFTs are promising for ion-sensitive field-effect transistors sensor applications with low-power consumptions.
机译：具有微孔-SIO_（2）的双栅极（DG）低压透明电双层（EDL）薄膜晶体管（TFT）对于顶部和底部电介质，通过等离子体增强介质沉积了两个电介质室温下的化学气相沉积（PECVD）。这些装置的阈值电压可以通过顶部栅极（TG）从Δ0.13到0.5V调制，其将设备从耗尽模式切换到增强模式。具有电流ON / OFF比率的高性能（〜2.1×10〜（6）），亚阈值摆动（每十年76 mV），工作电压（1.0 V）和场效应移动（〜2.6cm〜（2）v获得〜（？1）S〜（α1））。这种DG TFT对于具有低功耗消耗的离子敏感场效应晶体管传感器应用。

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