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【24h】

Hierarchical hexagonal boron nitride nanowall–diamond nanorod heterostructures with enhanced optoelectronic performance

机译：分层六边形氮化硼纳米型纳米金刚石纳米孔异质结构，具有增强的光电性能

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A superior field electron emission (FEE) source made from a hierarchical heterostructure, where two-dimensional hexagonal boron nitride (hBN) nanowalls were coated on one-dimensional diamond nanorods (DNRs), is fabricated using a simple and scalable method. FEE characteristics of hBN-DNR display a low turn-on field of 6.0 V μm ~(?1) , a high field enhancement factor of 5870 and a high life-time stability of 435 min. Such an enhancement in the FEE properties of hBN-DNR derives from the distinctive material combination, i.e. , high aspect ratio of the heterostructure, good electron transport from the DNR to the hBN nanowalls and efficient field emission of electrons from the hBN nanowalls. The prospective application of these heterostructures is further evidenced by enhanced microplasma devices using hBN-DNR as a cathode, in which the threshold voltage was lowered to 350 V, affirming the role of hBN-DNR in the improvement of electron emission.
机译：使用简单且可伸缩的方法制造由分层异质结构由分层异质结构制成的高级场电子发射（费用）源，其中二维六边形氮化硼（HBN）纳米槽（DNRS）上涂覆在一维金刚石纳米棒（DNR）上。 HBN-DNR的费用特性显示为6.0Vμm〜（？1）的低开启场，高场增强因子为5870，高寿命稳定性为435分钟。 HBN-DNR的费用特性的这种增强来自独特的材料组合，即异质结构的高纵横比，从DNR到HBN纳米罩的良好电子传输，以及来自HBN纳米罩的高效场发射电子。这些异质结构的前瞻性应用通过使用HBN-DNR作为阴极的增强的显微载体装置进一步证明，其中阈值电压降至350V，肯定HBN-DNR在改善电子发射时的作用。

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