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パワー半導体素子の現状と開発の動向，課題

机译：功率半导体器件的现状，发展趋势与挑战

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パワー半導体素子の現状と開発の動向および課題を考察した。次世代パワー半導体素子およびPEの将来を予測するロードマップ指標として，従来の電力変換効率に代わってパワー密度が重要であることをのべた。パワー密度を向上させる上で，パワー半導体素子の高速，低損失化が依然として大切である。この視点からパワー半導体素子の最新の高速，低損失化の動向を述べた。実用化にむけた研究が進んでいるSiC素子について，産学官連携によるNEDO-Pjの推移と現状をのべた。さらに，今後の課題としてSiC素子を視野に入れたニーズ志向の本格研究や学際的連携とその仕組みが重要なことを述べた。
机译：考虑了功率半导体器件的当前状态，发展趋势和问题。作为预测下一代功率半导体器件和PE未来的路线图指标，指出功率密度比常规功率转换效率更为重要。为了提高功率密度，降低功率半导体器件的速度和损耗仍然很重要。从这一角度出发，我们描述了功率半导体器件高速，低损耗的最新趋势。我们已经描述了通过工业-学术-政府合作对SiC器件进行研究的NEDO-Pj的过渡和当前状态，目前正在研究这些器件的实际用途。此外，作为未来的问题，他解释说，以需求为导向的大规模研究和跨学科合作对于SiC器件及其机理很重要。

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