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首页> 外文期刊>Electrical Engineers, Proceedings of the Institution of >Frequency doublers using charge-storage/step-recovery diodes
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Frequency doublers using charge-storage/step-recovery diodes

机译：使用电荷存储/逐步恢复二极管的倍频器

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Computed results are given for the efficiency and power output of a p-n junction-diode frequency doubler operating in the charge-storage/step-recovery mode. These results are compared to those obtained with the same diode used as a nominally or overdriven varactor, and the limitations and advantages of the storage/recovery mode are discussed. It is shown that for moderate efficiencies, e.g. ????????3dB, the storage/recovery mode gives the best power output. For high efficiencies (better than ????????1dB), this mode can give excellent results if the forward-bias (contact) resistance is less than the reverse-bias series resistance. The results are verified with a high-frequency stripline doubler.
机译：给出了在电荷存储/逐步恢复模式下工作的p-n结二极管倍频器的效率和功率输出的计算结果。将这些结果与使用相同二极管作为标称或过驱动变容二极管获得的结果进行比较，并讨论了存储/恢复模式的局限性和优势。结果表明，对于中等效率，例如3dB，存储/恢复模式可提供最佳功率输出。对于高效率（优于1dB），如果正向偏置（接触）电阻小于反向偏置串联电阻，则此模式可提供出色的结果。用高频带状线倍增器验证了结果。

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