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首页> 外文期刊>Electron Device Letters, IEEE >A 96% Efficient High-Frequency DC–DC Converter Using E-Mode GaN DHFETs on Si
【24h】

A 96% Efficient High-Frequency DC–DC Converter Using E-Mode GaN DHFETs on Si

机译：在Si上使用E型GaN DHFET的96％高效DC-DC高效转换器

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III-Nitride materials are very promising to be used in next-generation high-frequency power switching applications. In this letter, we demonstrate the performance of normally off AlGaN/GaN/AlGaN double-heterostructure FETs (DHFETs) using a boost-converter circuit. The figures of merit of our large (57.6-mm gate width) GaN transistor are presented: $R_{rm ON} ast Q_{G}$ of 2.5 $Omegacdothbox{nC}$ is obtained at $V_{rm DS} = hbox{140 V}$. The switching performance of the GaN DHFET is studied in a dedicated high-frequency boost converter: both the switching times and power losses are characterized. We show converter efficiency values up to 96.1% at 500 kHz and 93.9% at 850 kHz at output power of 100 W.
机译：III型氮化物材料非常有望用于下一代高频功率开关应用中。在这封信中，我们演示了使用升压转换器电路的常关型AlGaN / GaN / AlGaN双异质结FET（DHFET）的性能。给出了我们的大型GaN晶体管（栅极宽度为57.6 mm）的品质因数：$ R_ {rm ON} ast Q_ {G} $ 2.5 $ Omegacdothbox {nC} $在$ V_ {rm DS} = hbox获得{140 V} $。在专用的高频升压转换器中研究了GaN DHFET的开关性能：同时描述了开关时间和功率损耗。我们显示了在100 W输出功率下，转换器效率值在500 kHz时高达96.1％，在850 kHz时高达93.9％。

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