Design and Analysis of an Area-Efficient High Holding Voltage ESD Protection Device

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• 来源
  《Electron Devices, IEEE Transactions on》 |2015年第2期|606-614|共9页
• 作者

  Zeng J.; Dong S.; Liou J.J.; Han Y.; Zhong L.; Wang W.;

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• 作者单位

  Department of Information Science and Electronic EngineeringElectrostatic Discharge (ESD) Laboratory, Zhejiang University, Hangzhou, China;

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类
• 关键词

  Electrostatic discharges; Impact ionization; P-n junctions; Resistance; Robustness; Thyristors; Area efficiency; double snapback phenomenon; floating p+; gate-grounded nMOS (GGnMOS) incorporated silicon-controlled rectifier (GGISCR); high holding voltage;

  机译：静电放电;冲击电离;P-n结;电阻;坚固性;晶闸管;面积效率;双重骤回现象;浮置p +;并入栅接地nMOS（GGnMOS）的可控硅（GGISCR）;高保持电压;