Samsung uses direct metal links in DRAM stack

Mike Clendenin

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Samsung uses direct metal links in DRAM stack

机译：三星在DRAM堆栈中使用直接金属链接

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Samsung Electronics scored a win last week in what is shaping up to be an industrywide effort to accelerate the development of direct metal connections between chips. Samsung completed the task in an all-DRAM stacked package—the first of its kind, according to the company.

机译：三星电子上周在整个行业的努力中取得了胜利，该行业正在努力加速芯片之间直接金属连接的开发。该公司表示，三星采用全DRAM堆叠封装完成了这项任务，这是同类产品中的第一个。

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来源
《Electronic Engineering Times》 |2007年第1473期|p.22|共1页
作者
Mike Clendenin;
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原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类无线电电子学、电信技术;
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