Cree va fournir des tranches en SiC à ST pour 250 M$

JACQUES MAROUANI

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【24h】

Cree va fournir des tranches en SiC à ST pour 250 M$

机译：Cree将以2.5亿美元的价格向意法半导体提供SiC晶圆

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Cree vient d'annoncer la signature d'un accord pluriannuel portant sur la production et la fourniture de tranches en carbure de silicium (SiC) Wolfspeed à STMicroelectronics. Dans le cadre de cet accord, Cree va fournir des tranches SiC de 150 mm avec et sans épitaxie pour un montant d'un quart de milliard de dollars dans un contexte de fortes croissance et demande en composants de puissance SiC. « ST est aujourd'hui la seule société de semi-conducteurs capable de produire en volume des circuits en carbure de silicium pour l'environnement automobile et nous souhaitons accélérer la croissance de notre activité SiC, tant en termes de volume que de diversité des applications servies, en vue d'atteindre une position de leader sur un marché estimé à plus de 3 Md$ en 2025», a « Nous restons concentrés sur l'adoption de solutions utilisant le carbure de silicium et le présent accord s'inscrit pleinement dans le cadre de notre mission », a déclaré Gregg Lowe, président de Cree. « Il s'agit du troisième accord pluriannuel signé en l'espace d'un an en vue d'accompagner l'in- dustrie à migrer du silicium au carbure de silicium. En tant que leader mondial dans le domaine du carbure de silicium, Cree continue d'augmenter sa capacité de production pour répondre aux besoins croissants du marché, et tout particulièrement des applications industrielles et automobiles», précise-t-il.

机译：Cree刚刚宣布签署一项多年协议，向意法半导体生产和供应Wolfspeed碳化硅（SiC）晶圆。作为该协议的一部分，在强劲的增长和对SiC功率元件的需求的背景下，Cree将以25亿美元的价格提供150毫米的带或不带有外延的SiC晶圆。 “ ST是当今唯一能够在汽车环境中批量生产碳化硅电路的半导体公司，并且我们希望在体积和应用多样性方面加快SiC活性的增长。为了在2025年估计超过30亿美元的市场上占据领先地位，“ a”我们将继续专注于采用采用碳化硅的解决方案，并且该协议与Cree总裁Gregg Lowe说：“这是我们使命的一部分。 “这是在一年的空间内签署的第三份多年期协议，以支持工业从硅向碳化硅迁移。作为碳化硅的全球领导者，Cree不断提高其生产能力，以满足不断增长的市场需求，特别是在工业和汽车应用领域。”

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来源
《Electronique》 |2019年第100期|32-32|共1页
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JACQUES MAROUANI;
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