...
首页> 外文期刊>Electronique >Mémoires flash V-Nand : Samsung n'est plus seul
【24h】

Mémoires flash V-Nand : Samsung n'est plus seul

机译:V-Nand闪存:三星不再孤单

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

Après le sud-coréen, Toshiba/SanDisk d'un côté et Intel/Micron de l'autre se lancent à leur tour dans les mémoires Nand à empilement vertical afin de gagner en densité : la concurrence fera rage en 2016.
机译:在韩国之后,一方面是东芝/ SanDisk,另一方面是英特尔/美光(Micron)正在轮流使用Nand垂直堆栈存储器以提高密度:2016年竞争将更加激烈。

著录项

  • 来源
    《Electronique》 |2015年第60期|14-14|共1页
  • 作者

  • 作者单位
  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 fre
  • 中图分类
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号