Des composants de puissance taillés pour encaisser les hautes températures

PHILIPPE CORVISIER

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Des composants de puissance taillés pour encaisser les hautes températures

机译：专为承受高温而设计的功率组件

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La diode Schottky en carbure de silicium s'adresse aux applications de puissance et haute tension, soit typiquement entre quelques centaines de volts et 1700 V (la limite actuelle pour les composants «sur étagère»). Il peut ici être question de correction du facteur de puissance (PFC) dans un convertisseur boost, de redressement côté secondaire d'une alimentation à découpage, d'une utilisation de la diode en mode de roue libre dans un onduleur, etc. Dans la plage mentionnée, les avantages d'une structure Schottky et d'un matériau comme le carbure de silicium se combinent pour offrir des performances dynamiques et thermiques supérieures aux diodes conventionnelles en silicium. Les atouts mis en exergue par les fabricants sont en réalité nombreux. En premier lieu, l'absence de phénomène de recouvrement inverse de charge est liéE à la nature même de la diode Schottky, dont le fonctionnement est régi par les porteurs majoritaires.

机译：碳化硅中的肖特基二极管用于功率和高压应用，通常在几百伏特和1700 V之间（“现成”组件的电流限制）。这可能是一个问题，例如，校正升压转换器中的功率因数（PFC），对开关电源的次级侧进行整流，在逆变器中使用续流模式的二极管等。在上述范围内，肖特基结构和像碳化硅这样的材料的优点相结合，可提供优于传统硅二极管的动态和热性能。实际上，制造商所强调的优势是众多的。首先，不存在反向电荷恢复现象与肖特基二极管的本质有关，肖特基二极管的工作由多数载流子决定。

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来源
《Electronique》 |2013年第35期|72-7377|共3页
作者
PHILIPPE CORVISIER;
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