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【24h】

PCiM Europe 2009: l'électronique de puissance carbure au SiC

机译：PCiM Europe 2009：采用SiC的硬质合金功率电子产品

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Riche en annonces, notamment en modules IGBT, la cuvée 2009 de PCIM a également été marquée par la percée des semiconducteurs de puissance composés, diodes et transistors en carbure de silicium en tête.rnApcim il a beaucoup été question des semiconducteurs composés dans les applications de puissance pour lesquelles le silicium se rapproche des limites théoriques. Le carbure de silicium s'affirme notamment comme l'un des prétendants les plus crédibles à cette succession.
机译：2009 PCIM年份特别是在IGBT模块方面发布了丰富的公告，其标志也是复合功率半导体，二极管和碳化硅晶体管的突破。硅正在接近理论极限的功率。碳化硅尤其声称自己是这一系列最可靠的竞争者之一。

著录项

  • 来源
    《Electronique》 |2009年第205期|8-10|共3页
  • 作者

    Philippe Corvisier;

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