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【24h】

High power supply rejection low-dropout regulator for ultra-low-power radiofrequency functions

机译：高电源抑制低压降稳压器，用于超低功耗射频功能

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A 1.4-3.3 V 5 mA CMOS low-dropout (LDO) linear regulator with a high power supply rejection (PSR) over a large frequency range is presented. An improved circuit topology with a second loop and a replica technique has been implemented in 90 nm CMOS technology. Thanks to a highpass filter included in the replica loop, the mismatch effects between the feedback loops are cancelled and a high PSR is achieved. Complete analysis, design steps and simulation results are presented. The proposed LDO achieves a PSR better than 60 dB up to 100 MHz with a 47 nF output capacitor.
机译：提出了在大频率范围内具有高电源抑制比（PSR）的1.4-3.3 V 5 mA CMOS低压降（LDO）线性稳压器。具有第二回路和复制技术的改进电路拓扑已在90 nm CMOS技术中实现。由于复制环路中包含高通滤波器，因此消除了反馈环路之间的失配效应，并实现了高PSR。介绍了完整的分析，设计步骤和仿真结果。拟议的LDO使用47 nF输出电容器在100 MHz时达到了优于60 dB的PSR。

著录项

  • 来源
    《Electronics Letters》 |2011年第20期|p.1117-1118|共2页
  • 作者

    T. Coulot; E. Rouat; J.-M. Founder; E. Lauga; F. Hasbani;

  • 作者单位

    Advanced Analog and RF Design Group, STMicroelectronics, Crolles, France;

    Advanced Analog and RF Design Group, STMicroelectronics, Crolles, France;

    IMEP-LAHC, UMR INPG/UJF/US/CNRS, Grenoble, France;

    IMEP-LAHC, UMR INPG/UJF/US/CNRS, Grenoble, France;

    Advanced Analog and RF Design Group, STMicroelectronics, Crolles, France;

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