Operation of strained-layer diode laser bars at 1.94 mu m to 27 W QCW

OBrien S.; Plano W.

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【24h】

Operation of strained-layer diode laser bars at 1.94 mu m to 27 W QCW

机译：应变层二极管激光棒在1.94μm至27 W QCW下的操作

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Laser bars 1 cm long operating at a wavelength of 1.94 mu m have been fabricated using strained quantum wells in the InGaAsP material system lattice-matched to InP. At pulse lengths of 0.5 ms with a 5% duty cycle the laser bars demonstrated record-level peak optical powers greater than 27 W at a wavelength of 1.94 mu m. Pulses up to 5 ms in duration were demonstrated with pulse energies approaching 90 mJ.

机译：在与InP晶格匹配的InGaAsP材料系统中，使用应变量子阱制造了工作于1.94微米波长的1厘米长的激光棒。在占空比为5％的0.5 ms的脉冲长度下，激光棒在1.94μm的波长处显示出创纪录的峰值光功率，大于27W。脉冲能量接近90 mJ时，脉冲持续时间长达5 ms。

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来源
《Electronics Letters》 |1995年第2期|P.105-106|共2页
作者
OBrien S.; Plano W.;
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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类无线电电子学、电信技术;
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