GaInAs/InP pin photodetectors integrated with glass waveguides

著录项

• 来源
  《Electronics Letters》 |1991年第1期|P.87-89|共3页
• 作者

  Yi-yan A.; Chan W.K.;

  展开▼
• 作者单位

  Bellcore, Red Bank, NJ, USA;

  展开▼
• 收录信息
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 无线电电子学、电信技术;
• 关键词

  III-V semiconductors; gallium arsenide; indium compounds; integrated optoelectronics; optical waveguides; p-i-n diodes; photodetectors; 1.3 micron; GaInAs-InP pin photodiodes; K +-exchanged channel glass waveguides; integrated photodetectors; substrate etch-off;

  机译：III-V半导体;砷化镓;铟化合物;集成光电元件;光波导;p-i-n二极管;光电探测器;1.3微米;GaInAs-InP引脚光电二极管;K +交换通道玻璃波导;集成光电探测器;衬底蚀刻;