...
首页> 外文期刊>Elektronika >ANALIZA WŁAŚCIWOŚCI ANTYSTATYCZNYCH CIENKICH WARSTW NA BAZIE TLENKÓW Hf I Ti W POWIĄZANIU Z ICH MIKROSTRUKTURĄ
【24h】

ANALIZA WŁAŚCIWOŚCI ANTYSTATYCZNYCH CIENKICH WARSTW NA BAZIE TLENKÓW Hf I Ti W POWIĄZANIU Z ICH MIKROSTRUKTURĄ

机译:基于HF和Ti氧化物的微观结构相关的薄层抗静性分析

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

W pracy przedstawiona została analiza właściwości antystatycznych cienkowarstwowych powłok na bazie tlenków Hf oraz Ti w powiązaniu z ich właściwościami strukturalnymi. Cienkie warstwy badane w ramach pracy wytworzone zostały za pomocą metody rozpylania magnetronowego na podłożach SiO_2 oraz SiO_2 pokrytych warstwą tlenku indowo-cynowego o grubości 150 nm. Właściwości antystatyczne zostały określone na podstawie pomiaru czasu rozpraszania ładunku statycznego, natomiast właściwości strukturalne na podstawie badania metodą dyfrakcji rentgenowskiej XRD. Badania metodą XRD wykazały, warstwy HfO_2, (Hf_(0.85)Ti_(0.15))Ox oraz TiO_2 były nanokrystaliczne, a ich średni rozmiar krystalitów wynosił poniżej 10 nm. Z kolei powłoka (Hf_(0.15)Ti_(0.85))Ox była amorficzna. Dla wszystkich warstw naniesionych na SiO_2 czasy rozpraszania ładunku przekraczały 2 sekundy wynikające z przyjętego kryterium antystatyczności. Najdłuższym czasem rozpraszania charakteryzowała się warstwa amorficzna. Naniesienie warstw na podłoże SiO_2 pokryte 150 nm warstwą ITO spowodowało, że wszystkie warstwy niezależnie od ich mikrostruktury były antystatyczne, a czasy rozpraszania ładunku elektrycznego były rzędu setek milisekund.
机译:本文介绍了基于HF和Ti氧化物的薄膜涂层的抗静电性能分析,结合其结构性能。用涂有150nm厚度层的SiO_2和SiO_2基板上的磁控喷射方法制造作为工作的一部分进行测试的薄层。基于静载荷分布时间的测量确定抗静电性能,而基于XRD XRD XRD测试的结构性质。 XRD试验显示HFO_2层,(HF_(0.85)Ti_(0.15))OX和TiO_2是纳米晶体,其平均结晶尺寸小于10nm。另一方面,涂层(HF_(0.15)Ti_(0.85))牛是无定形的。对于应用于SiO_2的所有层,由采用的抗静电标准产生的负载散射时间超过2秒。最长的散射时间是由非晶层的特征。 SiO_2基板上的涂覆层覆盖有150nm层的ITO,意味着所有层,无论它们的微观结构如何都是防静电,并且电荷的概述时间是数百毫秒的行。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号